场效应电晶体（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型电晶体。它属于电压控制型半导体器件。根据三极体的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，採用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
基本介绍
- 中文名场效应电晶体
- 外文名Field Effect Transistor缩写(FET)
- 简称场效应管，单极型电晶体
- 名词领域电气
概念信息
特点
具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态範围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型电晶体和功率电晶体的强大竞争者.
作用
场效应管可套用于放大电路，由于场效应管放大器的输入阻抗很高，耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器.
场效应管还可以用作电子开关.
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恆流源.
相关信息
分类信息
按结构场效应管分为结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类
按沟道材料结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应电晶体可分为结场效应电晶体和MOS场效应电晶体，而MOS场效应电晶体又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类.见下图 :
主要参数
Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流.
Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压.
Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压.
gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.
BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
PDSM — 最大耗散功率，也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
管脚识别
判定栅极G将万用表拨至R×1k档，用万用表的负极任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，两电极为漏极和源极.漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。
判定源极S、漏极D
在源-漏之间有一个PN结，根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
比较
场效应管是电压控制元件,而电晶体是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用电晶体.
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而电晶体是既利用多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件.
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比电晶体好.
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的製造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，场效应管在大规模积体电路中得到了广泛的套用.