CWD是作为写入延迟之用，Reset提供了超省电功能的命令，可以让DDR3 SDRAM记忆体颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式，ZQ则是一个新增的终端电阻校準功能，新增这个线路脚位提供了ODCE（On Die Calibration Engine）用来校準ODT（On Die Termination）内部终端电阻，新增了SRT（Self-Reflash Temperature）可程式化温度控制记忆体时脉功能，SRT的加入让记忆体颗粒在温度、时脉和电源管理上进行最佳化，可以说在记忆体内，就做了电源管理的功能，让记忆体颗粒的稳定度也大为提升，确保记忆体颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况，DDR3 SDRAM还加入PASR（Partial Array Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个记忆体Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。

1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM核心的频率只有等效数据频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率（核心频率）只有100MHz。

DDR3预藉机

2．採用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控制汇流排的负担。

3．採用100nm以下的生产工艺，将工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校準功能。

1.突髮长度（Burst Length，BL）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bitBurst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3记忆体中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

2.定址时序（Timing）就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL範围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的範围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

3.DDR3新增的重置（Reset）功能重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门準备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3记忆体将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。 在Reset期间，DDR3记忆体将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与传送器都将关闭，所有内部的程式装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据汇流排上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

4.DDR3新增ZQ校準功能ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校準引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校準。

5.参考电压分成两个在DDR3系统中，对于记忆体系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据汇流排服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据汇流排的信噪等级。

6.点对点连线（Point-to-Point，P2P）这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个记忆体控制器只与一个记忆体通道打交道，而且这个记忆体通道只能有一个插槽，，记忆体控制器与DDR3记忆体模组之间是点对点（P2P）的关係（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关係（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据汇流排的负载。而在记忆体模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标準DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（伺服器）之分，其中第二代FB-DIMM将採用规格更高的AMB2（高级记忆体缓冲器）。 面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，，由于DDR3所採用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，，它可能受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2记忆体的不是台式机而是伺服器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。Intel所推出的新晶片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量晶片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，起始的逻辑Bank就是8个，还为未来的16个逻辑Bank做好了準备。

DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit晶片採用78球FBGA封装，16bit晶片採用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

DDR3记忆体在达到高频宽的，其功耗反而可以降低，其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗，发热量我们也不需要担心。就频宽和功耗之间作个平衡，对比现有的DDR2-800产品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不但记忆体频宽大幅提升，功耗表现也比上代更好

(1)功耗和发热量较小吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。

(2)工作频率更高由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，还可作为显示卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显示卡上已有所表现。

(3)降低显示卡整体成本DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit，搭配中高端显示卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格多为32M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显示卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。

(4)通用性好相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显示卡稍加修改便能採用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

DDR3显存在新出的大多数中高端显示卡上得到了广泛的套用。 许多低端的显示卡也有採用DDR3显存的。

早在2002年6月28日，JEDEC就宣布开始开发DDR3记忆体标準，但从2006的情况来看，DDR2才刚开始普及，DDR3标準更是连影也没见到。不过已经有众多厂商拿出了自己的DDR3解决方案，纷纷宣布成功开发出了DDR3记忆体晶片，从中我们仿佛能感觉到DDR3临近的脚步。而从已经有晶片可以生产出来这一点来看，DDR3的标準设计工作也已经接近尾声。

半导体市场调查机构iSuppli预测DDR3记忆体将会在2008年替代DDR2成为市场上的主流产品，iSuppli认为在那个时候DDR3的市场份额将达到55%。截至2008年11月底的情况看，这个预期还是比较準确，市场上已经占据了很多运行频率为1066,1333,1600,甚至2000MHz的DDR3记忆体，接口类型有204和240 PIN两种。不过，就具体的设计来看，DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲，DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。

由于DDR2记忆体的各种不足，制约了其进一步的广泛套用，DDR3记忆体的出现，正是为了解决DDR2记忆体出现的问题，具体有

更高的外部数据传输率

更先进的地址/命令与控制汇流排的拓朴架构

在保证性能的将能耗进一步降低

为了满足这些要求，DDR3记忆体在DDR2记忆体的基础上所做的主要改进包括

8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM核心的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。

採用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制汇流排的负担。

在2009年冬季即将结束，三星正式推出目前世界上单颗密度最大的DDR3晶片，基于50纳米製造工艺，推单颗容量到了4Gb,这个终于使得我们可以更快的跨入64位的时代，因为单根PC记忆体条的容量已达到了惊人的32GB。 新的晶片比先前的DDR3晶片功耗降低了40%，

，这也为单根32GB的记忆体条的上市扫清了障碍，最初面市的32GB的RDIMM记忆体用于伺服器领域採取双面封装（每一面由4×4GDDR3晶片组成），会面对桌面市场提供8G的UDIMM记忆体提供给工作站和PC平台，以及8GB的SO-DIMM笔记本电脑记忆体。 新的低功耗DDR3记忆体设计工作电压为1.35V，比之前1.5V的DDR3晶片降低大约20%功耗，最大吞吐速度达到1.6Gbps。 ，DDR2的价格恐怕会依然疲软，我在想我的本本是不是应该升级到DDR2 4GB了呢？而根据IDC的预测DDR3记忆体市场份额将从目29%到2011年达到72%。