FlashROM

它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)， 而EEPROM则可以一次只擦除一个位元组(Byte)。目前“快闪记忆体”被广泛用在PC机的主机板上，用来保存BIOS程式，便于进行程式的升级。其一大套用领域是用来作为硬碟的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，将其用来取代RAM就显得不合适，因为RAM需要能够按位元组改写，而Flash ROM不需要。

Flash-ROM（快闪记忆体）已经成为了目前最成功、流行的一种固态记忆体，与 EEPROM 相比具有读写速度快，而与 SRAM 相比具有非易失、以及价廉等优势。而基于 NOR 和 NAND 结构的快闪记忆体是现在市场上两种主要的非易失快闪记忆体技术。 Intel 于 1988 年开发出 NOR flash 技术，彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989 年东芝公司发表了 NAND flash 技术（后将该技术无偿转让给韩国　Samsung　公司），强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁碟一样可以通过接口轻鬆升级。

经过了十多年之后，仍然有相当多的工程师分不清 NOR 和 NAND 快闪记忆体，也搞不清楚 NAND 快闪记忆体技术相对于 NOR 技术的优越之处，因为大多数情况下快闪记忆体只是用来存储少量的代码，这时 NOR 快闪记忆体更适合一些。而 NAND 则是高资料存储密度的理想解决方案。

NOR 的特点是晶片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应用程式可以直接在快闪记忆体内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。NOR 的传输效率很高，在 1～4MB 的小容量时具有很高的成本效益，很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，这也是为何所有的 U 盘都使用 NAND 快闪记忆体做为存储介质的原因。套用 NAND 的困难在于快闪记忆体和需要特殊的系统接口。

快闪记忆体是非易失记忆体，可以对称为块的记忆体单元块进行擦写和再编程。任何快闪记忆体器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND　器件执行擦除操作是十分简单的，而　NOR　则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为　0。

由于擦除　NOR　器件时是以　64～128KB　的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除　NAND　器件是以　8～32KB　的块进行的，执行相同的操作最多只需要　4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了　NOR　和　NAND 之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小档案时），更多的擦除操作必须在基于　NOR　的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。

1) NOR的读速度比NAND稍快一些。

2) NAND的写入速度比NOR快很多。

3) NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。

4) NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

NOR 快闪记忆体带有SRAM接口，有足够的地址引脚来定址，可以很容易地存取其内部的每一个位元组。

NAND快闪记忆体使用複杂的I/O口来串列地存取资料，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。

NAND读和写操作採用512位元组的块，这一点有点像硬碟管理此类操作，很自然地，基于NAND的快闪记忆体就可以取代硬碟或其它块设备。

NAND 快闪记忆体的单元尺寸几乎是　NOR　快闪记忆体的一半，由于生产过程更为简单，NAND　结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

NOR 快闪记忆体容量为　1～11～16MB　快闪记忆体市场的大部分，而　NAND 快闪记忆体只是用在　8MB　以上的产品当中，这也说明　NOR　主要套用在代码存储介质中，NAND　适合于资料存储，NAND　在　 CompactFlash、Secure Digital、PC Cards　和　MMC　存储卡市场上所占份额最大。

採用快闪记忆体介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展　MTBF　的系统来说，快闪记忆体是非常合适的存储方案。可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理三个方面来比较　NOR　和　NAND　的可靠性。

寿命（耐用性）

在　NAND　快闪记忆体中每个块的最大擦写次数是一百万次，而　NOR　的擦写次数是十万次。NAND　记忆体除了具有　101　的块擦除周期优势，典型的　 NAND　块尺寸要比　NOR　器件小　8　倍，每个　NAND　记忆体块在给定的时间内的删除次数要少一些。

位交换

所有快闪记忆体器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下（很少见，NAND　发生的次数要比NOR　多），一个比特位会发生反转或被报告反转了。

一位的变化可能不很明显，如果发生在一个关键档案上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。

，如果这个位真的改变了，就必须採用错误探测/错误纠正（EDC/ECC）算法。位反转的问题更多见于　NAND　快闪记忆体，NAND　的供货商建议使用　NAND　快闪记忆体的时候，使用　EDC/ECC　算法。

这个问题对于用　NAND　存储多媒体信息时倒不是致命的。，如果用本地存储设备来存储作业系统、配置档案或其它敏感信息时，必须使用　EDC/ECC　系统以确保可靠性。

坏块处理

NAND　器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。

NAND　器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已製成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

可以非常直接地使用基于　NOR　的快闪记忆体，可以像其它记忆体那样连线，并可以在上面直接运行代码。

由于需要　I/O　接口，NAND　要複杂得多。各种　NAND　器件的存取方法因厂家而异。

在使用　NAND　器件时，必须先写入驱动程式，才能继续执行其它操作。向　NAND　器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在　NAND　器件上自始至终都必须进行虚拟映像。

当讨论软体支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁碟仿真和快闪记忆体管理算法的软体，包括性能最佳化。

在　NOR　器件上运行代码不需要任何的软体支持，在　NAND　器件上进行同样操作时，通常需要驱动程式，也就是记忆体技术驱动程式（MTD），NAND　和　NOR　器件在进行写入和擦除操作时都需要　MTD。

Strata Flash　是 Intel　公司产的典型 Nor Flash， 本机使用的Strata Flash 是该系列中的 28F320J3。

它的特性如下

1) 问速度有 110ns/120ns 和150ns 共 3档

2) 具备128bit 加密暂存器

3) 块尺寸128KB

K9S5608 是韩国 Samsung 公司所产的 256MBit（32MByte） SMC 卡（外形封装成卡片形式的） NAND 快闪记忆体。

K9S5608 具有以下特性

（1） 32MByte 存储空间的结构为（32M+1024K）bit×8bit

（2） 支持自动编程和擦除模式

（3） 10uS 随即页面读写

（4） 200uS 快速页面擦除周期

（5） 具备硬体防写功能

（6） 擦/写寿命10 万次

（7） 资料保存寿命10 年