2017年6月，负责计算机记忆体技术标準的组织JEDEC宣称，下一代记忆体标準DDR5将亮相，并预计在2018年完成最终的标準制定。

2017年9月22日，Rambus宣布在实验室中实现完整功能的DDR5 DIMM晶片，预期将在2019年开始量产。

2018年10月，Cadence和镁光公布了自己的DDR5记忆体研发进度，两家厂商已经开始研发16GB DDR5产品，并计画在2019年年底之前实现量产目标。

1、速度不同-频率可达6.4GHz以上，GDDR5比GDDR3快2倍以上

2、功耗更低-GDDR5比GDDR3节能20%

3、 频宽更高-GDDR5配128bit显存，仍比GDDR3配256bit快

Cadence表示，与DDR4相比，改进的DDR5功能将使实际频宽提高36%，即使在3200 MT / s（此声明必须进行测试）和4800 MT / s速度开始，与DDR4-3200相比，实际频宽将高出87%。与此，DDR5最重要的特性之一将是超过16 Gb的单片晶片密度。

DDR5 SDRAM的主要特性是晶片容量，而不仅仅是更高的性能和更低的功耗。DDR5预计将带来4266至6400 MT / s的I / O速度，电源电压降至1.1 V，允许的波动範围为3%（即±0.033V）。每个模组使用两个独立的32/40位通道（不使用/或使用ECC）。，DDR5将具有改进的命令汇流排效率（因为通道将具有其自己的7位地址（添加）/命令（Cmd）汇流排），更好的刷新方案以及增加的存储体组以获得额外的性能。